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射频晶体管
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MRF8P9210NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
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数量单价合计
250
¥657.5922
164398.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
16.9 dB
输出功率
63 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.92 GHz to 0.96 GHz
系列
MRF8P9210N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935321673528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格，MRF8P9210NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVF4009SG4T1G
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:21200
BFS19,235
Nexperia
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1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
10,000:¥0.72998
参考库存:52277
MRF1K50H-TF3
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,203.75
参考库存:2369
BFP 182R E7764
Infineon Technologies
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1:¥3.3787
10:¥2.5764
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.84524
参考库存:47361
MMRF1304GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥294.3763
5:¥279.4716
10:¥274.6239
25:¥248.9616
500:¥212.3835
参考库存:35879

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