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射频晶体管

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T1G4020036-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
260 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110866
商品其它信息
优势价格,T1G4020036-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,124.4726
参考库存:37835
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
20:¥1,788.1459
25:¥1,763.6362
50:¥1,642.7601
参考库存:37840
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB
7:¥2,172.1877
10:¥2,137.1464
25:¥2,060.0804
参考库存:37845
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:37850
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317HS/CFM4F///REEL 13
50:¥4,328.9396
参考库存:37855
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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