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射频晶体管
BFP 640ESD H6327参考图片

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BFP 640ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6386
36.386
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.469
4407
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.1 V
集电极连续电流
50 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640ESDH6327XTSA1 BFP64ESDH6327XT SP000785482
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 640ESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD2933-03W
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
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100:¥830.4144
参考库存:35366
PTRA094252FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
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250:¥878.2021
参考库存:35371
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
15,000:¥1.4464
参考库存:4725
BFP650H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2091
参考库存:50912
D2009UK
Semelab / TT Electronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
50:¥619.5564
参考库存:35380

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