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射频晶体管

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CGHV27015S

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
21.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
1.78 A
输出功率
15 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV27015S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3T18H400W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,065.9968
5:¥1,045.024
10:¥996.3097
25:¥975.4047
100:¥926.6113
150:¥861.9866
参考库存:35195
KSC1674YBU
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥2.2261
10:¥1.5142
100:¥0.63732
1,000:¥0.43053
参考库存:34799
VRF3933
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥891.344
2:¥863.6816
5:¥863.3765
10:¥835.5559
参考库存:1716
MAPR-002731-115M00
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1
5:¥2,516.4309
参考库存:35204
T1G2028536-FS
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:1818

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    50万现货SKU

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