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射频晶体管
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BLX15

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库存:1,194(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥734.8164
734.8164
10
¥674.271
6742.71
25
¥605.115
15127.875
50
¥535.959
26797.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
10 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装
Tray
工作频率
28 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
233 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLX15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:39686
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:100195
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE
100:¥300.5235
250:¥293.4497
参考库存:39693
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥3,581.0491
参考库存:39698
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
1:¥2,303.4372
参考库存:6262
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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