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晶体管
FD300R12KS4参考图片

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FD300R12KS4

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库存:45,769(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,032.1194
1032.1194
5
¥1,011.8246
5059.123
10
¥964.6471
9646.471
25
¥944.3636
23609.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
370 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1950 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FD300R12KS4HOSA1 SP000396766
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FD300R12KS4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,000:¥2.7685
参考库存:14354
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 6PIN
1:¥3.2996
10:¥2.4747
100:¥1.3334
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
参考库存:19466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 0.5A
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.76049
参考库存:34018
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET 20V 100mA
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
8,000:¥1.4012
参考库存:43220
晶体管
MOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1755
500:¥6.3393
2,500:¥6.3393
参考库存:22102
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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