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晶体管
IPB180N03S4L-01参考图片

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IPB180N03S4L-01

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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库存：4,482(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.526
5763
1,000
¥9.5259
9525.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.05 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
187 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB180N03S4L01ATMA1 IPB18N3S4L1XT SP000555002
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB180N03S4L-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI3469DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 6.7A 2.0W 30mohm @ 10V
1:¥8.2942
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
3,000:¥3.5708
参考库存:16354
BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
5,000:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:69621
BSC022N04LS
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.2037
1,000:¥4.9042
5,000:¥4.9042
参考库存:89848
STP36NF06L
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 30 Amp
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:7875
SIRA54DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3506
500:¥5.4579
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:32172

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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