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晶体管
IPB042N10N3 G参考图片

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IPB042N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存：6,246(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.9783
179.783
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5995
6299.75
1,000
¥10.4525
10452.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
IPB042N10N3GATMA1 IPB42N1N3GXT SP000446880
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB042N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4401DDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.7574
10:¥5.3901
100:¥4.0906
500:¥3.3787
1,000:¥3.2205
2,500:¥2.825
参考库存:27241
IPS70R360P7SAKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:34548
IPD400N06N G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 27A DPAK-2
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9267
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:15065
FCH072N60F
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:7097
CSD17527Q5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.5257
500:¥4.8816
2,500:¥3.4239
10,000:查看
参考库存:19499

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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