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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual Common Emitter
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	4.7
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TUMT-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	68
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	UMG5N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.77 mm
长度	2 mm
宽度	1.7 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	UMG5N

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RN2702JE(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A	1:¥4.3844 10:¥2.4634 100:¥1.07576 1,000:¥0.84524 4,000:¥0.61472	参考库存:19620
ZXT13N15DE6TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15V NPN SuperSOT4	1:¥5.1528 10:¥4.2827 100:¥2.7685 1,000:¥2.2148 3,000:¥2.2148	参考库存:21137
IRFL024ZTRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC	1:¥5.2206 10:¥4.3505 100:¥2.8024 1,000:¥2.2487 2,500:¥2.2487	参考库存:13389
FQD6N40CTM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 400V N-Channel Advance QFET	1:¥6.5314 10:¥5.6161 100:¥4.3166 500:¥3.8194 1,000:¥3.0171 2,500:¥3.0171	参考库存:24871
BSS806NE H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3	1:¥2.9154 10:¥2.0792 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.62263	参考库存:26033