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晶体管
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ZVN4306GVTA

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库存:7,791(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.684
768.4
500
¥6.78
3390
1,000
¥5.6161
5616.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
系列
ZVN4306
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZVN4306GVTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
3,000:¥8.2942
6,000:查看
参考库存:29406
晶体管
MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
1:¥26.894
10:¥22.2836
100:¥18.2834
250:¥17.7523
500:¥15.9104
3,000:¥15.9104
参考库存:18188
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.5313
10:¥3.7742
100:¥2.3052
1,000:¥1.7854
2,500:¥1.5255
参考库存:15690
晶体管
MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.1203
400:¥29.6625
参考库存:18612
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
1:¥4.9946
10:¥4.2036
100:¥2.712
1,000:¥2.1696
2,500:¥1.8306
参考库存:15644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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