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晶体管
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FCPF650N80Z

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库存：7,489(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30.5 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FCPF650N80Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格，FCPF650N80Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPSA70R600CEAKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥7.0738
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
参考库存:12410
FSAM50SM60A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V -50A SMART POWER MODULE
1:¥458.6557
5:¥448.3614
10:¥430.8464
25:¥417.0152
参考库存:29482
IHW30N135R3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
500:¥24.3628
参考库存:6057
2SD1801T-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V
700:¥1.7515
2,100:¥1.7515
9,800:¥1.695
24,500:¥1.6159
49,700:¥1.5933
参考库存:29489
NVTFS5811NLWFTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
1,500:¥4.2488
9,000:¥4.0906
参考库存:29494

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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