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晶体管
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IRF9530PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
IRF
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
3.7 S
下降时间
39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRF9530PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHFS9N60A-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds TO-263 D2PAK
1,000:¥7.684
2,000:¥7.1642
5,000:¥6.9043
10,000:¥6.6444
参考库存:29117
PBRN113ZT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS TAPE-7
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:29122
MG12100S-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
100:¥508.9068
参考库存:29127
FZ1800R12HE4_B9
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 1800A
1:¥6,357.5156
5:¥6,255.9286
参考库存:29132
BC54-16PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 1 A NPN medium power transistors
3,000:¥0.54579
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.45313
45,000:¥0.4068
99,000:¥0.39211
参考库存:29137

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    50万现货SKU

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