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晶体管
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IGP10N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
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库存：5,464(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0964
3548.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP10N60TXKSA1 IGP1N6TXK SP000683042
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IGP10N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCX51-16,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:48473
IRFSL3006PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
500:¥27.12
参考库存:6715
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-Chan 30V 44A 34W lvl MOSFET in LFPAK
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
1,500:¥1.6159
参考库存:13757
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched PNP Tra
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:98809
APT8030JVFR
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥399.4098
5:¥386.0419
10:¥373.4424
25:¥345.3958
参考库存:1731

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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