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晶体管
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IGP10N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0964
3548.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP10N60TXKSA1 IGP1N6TXK SP000683042
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IGP10N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FP75R06KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥865.5235
5:¥849.6244
10:¥811.4304
25:¥784.3782
参考库存:3485
DTC015TUBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:18467
IPP70N10S3L-12
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 OptiMOS-T
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6275
参考库存:3474
PSMN039-100YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET Single NChannel 100V 112A 74W 71mOhms
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
1,500:¥1.9662
参考库存:3491
2N4235
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power SW
1:¥26.5889
10:¥23.7413
100:¥21.5943
250:¥19.5151
参考库存:3548

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