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晶体管
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2N6292G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 7A 70V 40W NPN
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.8534
58.534
100
¥3.7855
378.55
1,000
¥3.0284
3028.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
70 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
3.5 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6292
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
40 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，2N6292G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P50S65M2-F
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:28991
FZ1800R17HP4_B9
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥6,747.7837
5:¥6,639.9026
参考库存:28996
DMP1022UFDEQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V P-CH MOSFET
3,000:¥2.0792
参考库存:29001
TPH8R008NH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
5,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:29006
MHT1002GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1002GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,475.6331
参考库存:29011

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