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晶体管
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ZXTN2010ZQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
190 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8.1 V
集电极—射极饱和电压
230 mV
最大直流电集电极电流
20 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN2010
直流电流增益 hFE 最大值
300
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTN2010ZQTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:30909
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLU014PBF
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:30914
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.45313
参考库存:30919
晶体管
MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
2,500:¥7.5032
5,000:查看
参考库存:30924
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:30929
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    50万现货SKU

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