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晶体管

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STGWA15H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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50.4093
10
¥45.5616
455.616
25
¥43.4146
1085.365
100
¥37.7307
3773.07
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA15H120F2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGWA15H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:14583
IRF8113TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
1:¥6.2263
10:¥5.198
100:¥3.3561
1,000:¥2.6894
4,000:¥2.6894
参考库存:27735
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:29927
SIHP15N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥29.5834
10:¥26.4307
100:¥21.8203
250:¥19.5942
500:¥17.8992
参考库存:3769
RQ1C065UNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:14151

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    50万现货SKU

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