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晶体管
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ZXTN25020DGTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
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库存：14,491(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.1302
51.302
100
¥3.2996
329.96
1,000
¥2.6442
2644.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
215 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN250
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 2 V, 250 at 2 A, 2 V, 50 at 7 A, 2 V
Pd-功率耗散
5300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，ZXTN25020DGTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CWDM305PD TR13
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual P-Ch Enh Mode
5,000:¥1.2317
10,000:¥1.1413
25,000:¥1.08367
50,000:¥1.05994
参考库存:29757
SI7962DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
3,000:¥13.1419
6,000:¥12.6786
参考库存:29762
2N6213
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥613.3414
参考库存:29767
APTGT200DA120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥789.6892
参考库存:29772
BCR 183S H6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
20,000:¥0.36838
参考库存:29777

  • 海量现货

    50万现货SKU

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