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晶体管
ZXTD09N50DE6TA参考图片

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ZXTD09N50DE6TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN
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库存:34,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4297
64.297
100
¥4.9381
493.81
500
¥4.3618
2180.9
1,000
¥3.4465
3446.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
160 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
215 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTD09
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 75 at 1 A, 2 V, 20 at 1.5 A, 2 V
Pd-功率耗散
900 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTD09N50DE6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-CH MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.0679
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:310162
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥54.6355
10:¥54.1722
25:¥49.3358
100:¥44.5672
参考库存:4779
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4523
参考库存:11146
晶体管
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:60498
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥249.6509
5:¥238.43
10:¥230.9833
25:¥212.2366
参考库存:2415
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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