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BSM200GA120DLC

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数量单价合计
10
¥945.2902
9452.902
30
¥925.4587
27763.761
50
¥925.3796
46268.98
100
¥879.1287
87912.87
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
370 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GA120DLCHOSA1 SP000092013
商品其它信息
优势价格，BSM200GA120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STE48NM50
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 48 Amp
1:¥233.5145
5:¥231.1302
10:¥215.378
25:¥205.7052
参考库存:10207
AUIRFS3006TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 60V 270A 2.5 mOhm Automotive MOSFET
1:¥39.5726
10:¥33.6514
100:¥29.1201
250:¥27.6624
800:¥20.9728
2,400:查看
参考库存:31613
IMB7AT108
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/PNP
1:¥3.4578
10:¥2.599
100:¥1.4125
1,000:¥1.05994
3,000:¥0.91417
参考库存:31618
2SA1900T100Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 1A SO-89
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
2,000:¥1.5255
参考库存:31623
SMPJ305
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 10mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:31628

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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