DDTB142TC-7-F详细信息_DDTB142TC-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	470 Ohms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	- 0.5 A
峰值直流集电极电流	500 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTB142
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	- 5 V
高度	1 mm
长度	3.05 mm
类型	PNP Pre-Biased 500 ma SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度	1.4 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIRA52DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥10.6785 10:¥8.8366 100:¥6.7913 500:¥5.8421 1,000:¥4.6104 3,000:¥4.6104	参考库存:32830
IRL40B212	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V, 195A, 1.9 mOhm 91 nC Qg, Logic Lvl	1:¥22.1254 10:¥18.8258 100:¥16.2946 250:¥15.4471	参考库存:16457
SQJ401EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified	1:¥15.7522 10:¥13.1419 100:¥10.1474 500:¥8.9157 1,000:¥7.3563 3,000:¥7.3563	参考库存:53349
RD3H200SNTL1	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)	1:¥8.9948 10:¥7.6614 100:¥5.8873 500:¥5.198 2,500:¥5.198	参考库存:13666
FF600R12ME4CP_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥1,958.2674 5:¥1,911.169 10:¥1,863.6751 25:¥1,837.5495	参考库存:2958