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晶体管
PHD13003C,126参考图片

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PHD13003C,126

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H-VOLT PWR BPT 700V 2 A
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.1357
21.357
100
¥1.01474
101.474
1,000
¥0.77631
776.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
5.2 mm
长度
4.8 mm
宽度
4.2 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
934063921126
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,PHD13003C,126的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:18776
晶体管
MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:198778
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:42640
晶体管
MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.90626
参考库存:21022
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
5,000:¥5.4692
10,000:查看
参考库存:259614
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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