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晶体管
BUJ100LR,412参考图片

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BUJ100LR,412

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63054
630.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.24 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
31
高度
5.2 mm
长度
4.8 mm
宽度
4.2 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
9
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
零件号别名
934063371412
商品其它信息
优势价格，BUJ100LR,412的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP2066LDMQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:6129
CSD18510KCS
Texas Instruments
晶体管
MOSFET GEN1.4 40V-20V
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:33051
QPD1010
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
1:¥157.9062
25:¥136.5492
100:¥118.1076
250:¥109.8812
参考库存:3558
SIZ346DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥5.6048
10:¥4.5426
100:¥3.4465
500:¥2.8476
3,000:¥2.0679
6,000:查看
参考库存:28930
CSD18512Q5B
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 40V N CH MOSFET
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5484
2,500:¥5.8195
5,000:查看
参考库存:104607

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    50万现货SKU

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