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晶体管
APT64GA90LD30参考图片

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APT64GA90LD30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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库存:2,778(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥95.6658
95.6658
10
¥86.9874
869.874
25
¥80.456
2011.4
50
¥76.0716
3803.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
117 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
117 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
117 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT64GA90LD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.07576
1,000:¥0.84524
4,000:¥0.61472
参考库存:19620
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15V NPN SuperSOT4
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:21137
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
1:¥5.2206
10:¥4.3505
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
2,500:¥2.2487
参考库存:13389
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Advance QFET
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
2,500:¥3.0171
参考库存:24871
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:26033
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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