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晶体管
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CSD17483F4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET
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库存:162,039(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3843
23.843
100
¥0.88366
88.366
1,000
¥0.67574
675.74
3,000
¥0.51528
1545.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.01 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17483F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.6 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17483F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 230V 200W PNP
1:¥26.0465
10:¥22.1254
100:¥19.21
250:¥18.2156
参考库存:8753
晶体管
MOSFET Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥6.1811
2,500:¥4.3279
10,000:查看
参考库存:19885
晶体管
MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥42.1038
10:¥35.8097
100:¥31.0411
250:¥29.4252
500:¥26.4307
800:¥26.4307
参考库存:5472
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7234
500:¥4.1697
参考库存:27334
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
2,000:查看
参考库存:12566
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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