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晶体管
DMN2250UFB-7B参考图片

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DMN2250UFB-7B

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库存:25,502(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.89157
89.157
1,000
¥0.68365
683.65
10,000
¥0.46104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.35 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN22
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
25.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.1 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59.4 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2250UFB-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TBD
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4071
500:¥5.6613
2,500:¥3.9663
10,000:查看
参考库存:4385
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:18117
晶体管
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.921
3,000:¥1.921
参考库存:32714
晶体管
IGBT 模块
1:¥58,042.6308
参考库存:2796
晶体管
MOSFET 500V, 5Amp, 1,38ohm N channel Mosfet
1:¥6.8365
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥3.4126
2,500:¥2.4069
5,000:查看
参考库存:27623
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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