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晶体管
APT200GN60JDQ4参考图片

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APT200GN60JDQ4

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:1,848(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥284.534
284.534
5
¥271.7876
1358.938
10
¥263.2561
2632.561
25
¥241.8878
6047.195
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
283 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
682 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT200GN60JDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 23A TO220-3
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
500:¥20.5208
参考库存:12803
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 15V 6A 3-PIN
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:27550
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VLT NPN PWR TRANS
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
1,000:¥3.0397
2,500:¥2.6894
参考库存:17997
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
1:¥44.7932
10:¥38.1149
100:¥33.0412
250:¥31.3462
参考库存:6809
晶体管
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:36916
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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