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晶体管
CSD18503KCS参考图片

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CSD18503KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N-Ch NexFET Power MOSFET
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库存:2,234(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
143 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18503KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
6.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD18503KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.0001
参考库存:25696
晶体管
MOSFET 4V DRIVE PCH MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.2317
参考库存:21573
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3676
1,000:¥6.102
参考库存:3100
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
2,500:¥6.0116
5,000:查看
参考库存:14782
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:42619
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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