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晶体管
SBC847BPDW1T3G参考图片

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SBC847BPDW1T3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR DUAL 45V
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库存:64,924(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1357
21.357
100
¥0.91417
91.417
1,000
¥0.70738
707.38
10,000
¥0.47686
4768.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V, - 5 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC847BP
直流电流增益 hFE 最大值
450 at 2 mA, 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,SBC847BPDW1T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
800:¥2.7007
2,400:¥2.2939
参考库存:29354
晶体管
MOSFET -20V -1.3A P-Channel
1:¥3.842
10:¥2.4521
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:128436
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥5.2545
3,000:¥4.8703
参考库存:18313
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:2695
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:36837
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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