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晶体管
NGTB30N120L2WG参考图片

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NGTB30N120L2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
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库存:5,107(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.3874
64.3874
10
¥58.1724
581.724
25
¥55.483
1387.075
100
¥48.1832
4818.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
534 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB30N120L2
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N120L2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.221
500:¥11.6051
参考库存:84974
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416FL 10kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:30866
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
1:¥862.0657
参考库存:2698
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥4.9946
10:¥4.0906
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
参考库存:82165
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 22kO SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:38072
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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