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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	ES6-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN2904
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	- 10 V
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	1.2 mm
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors

商品其它信息

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