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晶体管
MJE253G参考图片

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MJE253G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 15W PNP
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.1696
216.96
1,000
¥1.6837
1683.7
2,500
¥1.4351
3587.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
40 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE253
高度
11.04 mm (Max)
长度
7.74 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
2.66 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
726 mg
商品其它信息
优势价格,MJE253G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 104A 7.7M
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
1,500:¥18.9049
参考库存:12897
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3337
参考库存:6959
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.4307
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5821
晶体管
MOSFET N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥11.6842
10:¥9.605
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥4.6443
4,000:查看
参考库存:14693
晶体管
MOSFET 8V P-CHANNEL FEMTOFET
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3221
参考库存:58955
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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