DTA143ZU3HZGT106详细信息_DTA143ZU3HZGT106相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	10
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC857BV-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA -45	1:¥3.1527 10:¥1.7515 100:¥0.9379 500:¥0.75258 3,000:¥0.43844 9,000:查看	参考库存:24031
PZTA14,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON	1:¥3.6838 10:¥2.8476 100:¥1.5481 1,000:¥1.1639 4,000:¥0.99892	参考库存:24783
DMG2302U-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan	1:¥2.8476 10:¥2.2148 100:¥1.1978 1,000:¥0.89948 3,000:¥0.77631 9,000:¥0.72998	参考库存:71920
PUMX2,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DOUBLE NPN TRANSISTR	1:¥2.4634 10:¥1.7176 100:¥0.72207 1,000:¥0.49155 3,000:¥0.3842	参考库存:71652
SPB07N60C3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C3	1:¥16.9048 10:¥14.3736 100:¥11.526 500:¥10.0683 1,000:¥8.2942	参考库存:4809