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晶体管
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MSD42T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS XSTR HV 300V TR
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数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.1413
11.413
100
¥0.47686
47.686
1,000
¥0.32318
323.18
3,000
¥0.25312
759.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.15 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MSD42
高度
1.2 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格，MSD42T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SAR553PFRAT100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-89 -2A 180 to 450hFE -50V
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
参考库存:11921
FZ2400R17HP4_B29
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A
1:¥10,551.3637
参考库存:4758
SSM6J507NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:6780
CSD18541F5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V N ch MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.6894
100:¥1.6498
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:54497
SUD09P10-195-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
1:¥6.7574
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.8815
参考库存:143934

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    50万现货SKU

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