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TN2540N3-G

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10
¥8.9157
89.157
25
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190.1225
100
¥6.8817
688.17
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
175 mA
Rds On-漏源导通电阻
12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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