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晶体管
2N6036G参考图片

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2N6036G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP
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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.1584
41.584
100
¥2.6781
267.81
1,000
¥2.147
2147
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6036
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
15000
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,2N6036G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE
4:¥2,771.1555
8:¥2,604.1076
参考库存:39090
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥120.8648
10:¥109.8812
25:¥101.6548
50:¥96.2082
参考库存:39095
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
3,000:¥2.1809
4,000:¥1.9888
10,000:¥1.808
24,000:¥1.7854
参考库存:39100
晶体管
MOSFET RH Mosfet
50:¥4,360.2067
参考库存:39105
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
1:¥40.567
10:¥34.4198
100:¥29.8885
250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
参考库存:14955
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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