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晶体管
PMBT3906MB,315参考图片

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PMBT3906MB,315

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V, 200 mA NPN Switching Transistor
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数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.356
13.56
100
¥0.56839
56.839
1,000
¥0.3842
384.2
10,000
¥0.26103
2610.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006B-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 100 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
优势价格,PMBT3906MB,315的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V 23A N-Channel SuperFET II MOSFET
1:¥26.7358
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
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晶体管
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥1,786.756
5:¥1,743.8047
10:¥1,700.4692
25:¥1,676.7279
参考库存:1917
晶体管
MOSFET
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
1,000:¥21.5152
2,000:查看
参考库存:3394
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.365 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥13.673
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
3,000:¥6.2828
6,000:查看
参考库存:16046
晶体管
MOSFET 80V, N-Channel NexFET Power Mosfet
1:¥23.2102
10:¥20.8259
100:¥17.063
250:¥15.9782
500:¥14.5205
参考库存:4048
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    50万现货SKU

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