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晶体管
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IHW40N60RF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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库存:6,828(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.2673
35.2673
10
¥29.9676
299.676
100
¥25.9674
2596.74
250
¥24.5888
6147.2
500
¥22.0576
11028.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW40N60RFFKSA1 IHW4N6RFXK SP000621080
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IHW40N60RF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥39.4935
10:¥33.5836
100:¥29.1201
250:¥27.5833
参考库存:5573
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1884
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
1,000:¥20.6677
2,000:查看
参考库存:11495
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:28327
晶体管
MOSFET N-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:7204
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1981
参考库存:18261
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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