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晶体管
SQP25N15-52_GE3参考图片

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SQP25N15-52_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 150Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:7,133(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.515
17.515
10
¥14.5996
145.996
100
¥11.30
1130
500
¥9.9101
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SQP25N15-52_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
3,000:¥5.5596
参考库存:18776
晶体管
MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:198778
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:42640
晶体管
MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.90626
参考库存:21022
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
5,000:¥5.4692
10,000:查看
参考库存:259614
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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