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晶体管
NGTG12N60TF1G参考图片

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NGTG12N60TF1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 12A IGBT TO-3PF
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3L
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
54 W
系列
NGTG12N60TF1G
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
8 g
商品其它信息
优势价格，NGTG12N60TF1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP17NK40ZFP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:10824
TK9J90E,S1E
Toshiba
晶体管
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
1:¥24.4306
10:¥19.6733
100:¥17.8992
250:¥16.1364
参考库存:4101
NTS4001NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V 270mA N-Channel
1:¥2.6103
10:¥1.695
100:¥0.72998
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.42262
参考库存:702463
F3L400R07ME4_B23
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 400A 650V
1:¥1,365.4468
5:¥1,332.6316
10:¥1,299.5226
25:¥1,281.307
参考库存:2915
MMBT3904TT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V NPN
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:347467

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