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晶体管
ZXMN2B03E6TA参考图片

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ZXMN2B03E6TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7798
277.98
1,000
¥2.2261
2226.1
3,000
¥2.2261
6678.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.9 ns
典型接通延迟时间
4.2 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN2B03E6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQM40016EM_GE3
Vishay Semiconductors
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)
1:¥21.7412
10:¥17.9783
100:¥14.8256
250:¥14.3736
800:¥10.9158
2,400:查看
参考库存:4267
SIR167DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.1473
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.4409
1,000:¥3.503
3,000:¥3.277
参考库存:31369
PDTA115EMB,315
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双极晶体管 - 预偏置 PNP Resistor Equipped Transistor
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:51371
ZTX851
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:36558
PBSS9110T,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:19525

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    物料均可追溯

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