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晶体管
SIR167DP-T1-GE3参考图片

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SIR167DP-T1-GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:31,369(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.7235
67.235
100
¥5.1641
516.41
500
¥4.4409
2220.45
1,000
¥3.503
3503
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65.8 W
配置
Single
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格,SIR167DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 400V 20A IGBT IGNITION
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
700:¥6.7348
1,400:¥6.3958
参考库存:38046
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
800:¥15.594
2,400:查看
参考库存:11601
晶体管
MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:38053
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:57608
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
500:¥19.1309
参考库存:12610
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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