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晶体管
PTVA101K02EV-V1-R250参考图片

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PTVA101K02EV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:35,417(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥4,926.3706
1231592.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-4
封装
Reel
工作频率
1030 MHz / 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA101K02EV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
1:¥88.5242
10:¥79.6876
25:¥72.6138
50:¥67.6192
参考库存:4678
晶体管
射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.4803
参考库存:19730
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V NPN
1:¥1.1526
10:¥0.9831
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:240222
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:84139
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
4,000:¥1.7628
参考库存:105656
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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