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晶体管
SUP90140E-GE3参考图片

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SUP90140E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220
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库存：6,555(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.8205
25.8205
10
¥21.357
213.57
100
¥17.5941
1759.41
250
¥17.063
4265.75
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
13.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
ThunderFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
112 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SUP90140E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPA65R380C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.684
参考库存:2446
DDA123JH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 2.2K 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:47243
SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:2440
SH8K5TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:26817
BF820,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:46382

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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