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晶体管
IRFB41N15DPBF参考图片

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IRFB41N15DPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
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数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.1474
5073.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
41 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001575564
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB41N15DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 50MA
1:¥3.3787
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100:¥1.6724
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24,000:查看
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1,000:¥1.2204
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1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
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1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥2.1131
500:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.3447
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晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
1:¥65.7773
10:¥59.4719
25:¥56.7034
100:¥49.1776
参考库存:7052
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    50万现货SKU

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