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晶体管
STL10N3LLH5参考图片

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STL10N3LLH5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.8422
78.422
100
¥6.0342
603.42
500
¥5.3336
2666.8
3,000
¥3.729
11187
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
22 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL10N3LLH5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,STL10N3LLH5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2996
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:47347
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1:¥17.6732
10:¥15.0629
100:¥11.9893
500:¥10.5316
800:¥8.6784
参考库存:9422
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥48.3301
10:¥38.8833
25:¥38.194
100:¥35.4255
参考库存:5164
晶体管
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9381
500:¥4.3731
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:7861
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:20193
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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