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晶体管
RGT40TS65DGC11参考图片

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RGT40TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥20.1366
20.1366
10
¥17.1308
171.308
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9893
5994.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
144 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT40TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT40TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGT40TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W PNP
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.278
250:¥22.0576
500:¥19.8202
参考库存:4834
晶体管
IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
1:¥7.6049
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
2,500:¥3.0962
10,000:查看
参考库存:11541
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:797188
晶体管
IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
参考库存:10245
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥22.9729
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
800:¥12.1362
2,400:查看
参考库存:17262
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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