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晶体管
ZTX601参考图片

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ZTX601

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN Darlington Trans 1A 180Vcbo 160Vceo
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库存:6,663(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6613
56.613
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.842
1921
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.01 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX601
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000 at 50 mA at 10 V, 2000 at 500 mA at 10 V, 1000 at 1 A at 10 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX601的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:90950
晶体管
MOSFET P-channel 1.25W
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:30082
晶体管
MOSFET 100V 0.35Ohm
1:¥14.5996
10:¥14.3736
25:¥12.0684
100:¥10.9836
参考库存:9294
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:21411
晶体管
MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:16138
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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