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晶体管
IRFH5250DTRPBF参考图片

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IRFH5250DTRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 39nC
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库存:10,432(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001577928
商品其它信息
优势价格,IRFH5250DTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:16680
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥5.2997
10:¥4.3053
100:¥3.2657
500:¥2.7007
1,000:¥2.1583
3,000:¥1.9549
参考库存:29002
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
1:¥33.2672
10:¥28.2726
100:¥24.5097
250:¥23.278
1,000:¥17.5941
2,000:查看
参考库存:9284
晶体管
MOSFET 30V/-30V N/P
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:61961
晶体管
MOSFET 650V, 240A, 6 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
1:¥3,838.158
参考库存:4293
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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