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产品分类

晶体管
IPB80N03S4L-02参考图片

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IPB80N03S4L-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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库存:9,891(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.831
98.31
100
¥7.91
791
500
¥6.8704
3435.2
1,000
¥5.6952
5695.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB80N03S4L02ATMA1 IPB8N3S4L2XT SP000273282
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80N03S4L-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PQMD3/DFN1010B-6/REEL 7" Q2/T3
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
5,000:¥0.42262
参考库存:29147
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:7299
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
参考库存:19826
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0286
5,000:¥5.2206
10,000:查看
参考库存:83158
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
1:¥28.0466
100:¥26.9731
500:¥25.6623
参考库存:10645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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