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晶体管
RS1G260MNTB参考图片

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RS1G260MNTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.5032
3751.6
2,500
¥5.7969
14492.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
11.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
25.1 ns
零件号别名
RS1G260MN
商品其它信息
优势价格,RS1G260MNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
3,000:¥5.537
参考库存:161965
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-89 -5A 200 to 500hFE -30V
1:¥4.6104
10:¥3.7742
100:¥2.3052
1,000:¥1.7854
参考库存:13277
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 250V 200W NPN
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.278
250:¥22.0576
500:¥19.8202
参考库存:27749
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.2997
参考库存:3146
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 40A
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:2078
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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